Die geplante GaN-Fertigung in Villach basiert auf modernen 300-Millimeter-Wafern. Infineon will damit Leistungshalbleiter für energieeffiziente Stromversorgung in Großserie herstellen. Der Standort erhält dadurch eine zusätzliche strategische Produktionsfunktion innerhalb Europas. Bis 2034 sind Investitionen von rund 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Die vorhandenen Reinräume werden gezielt für neue Fertigungsprozesse aufgerüstet. Ende 2027 soll die industrielle Produktion starten. Die Kapazität wächst abhängig von Kundenaufträgen und Marktlage.
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GaN-Hochvolumenfertigung auf großen Wafern erweitert Villachs Halbleiterprofil deutlich weiter
Die Fertigung von GaN-Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern erweitert Villachs industrielle Möglichkeiten deutlich. Infineon schafft damit eine Basis für die Produktion großer Chipmengen. Das Waferformat ermöglicht hohe Durchsätze und unterstützt standardisierte Fertigungsabläufe. Viele Bauelemente lassen sich auf der großen Fläche gleichzeitig bearbeiten. Dadurch wird die GaN-Technologie für eine umfassende industrielle Skalierung vorbereitet. Der Standort bündelt dazu Erfahrung aus Entwicklung, Produktion und Prozesssteuerung. Villach stärkt seine internationale Rolle als Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter weiter.
Villach nutzt bestehende Reinräume für skalierbaren Ausbau der Halbleiterproduktion
Bestehende Reinraumkapazitäten vermeiden beim Projekt die Errichtung zusätzlicher Gebäudeflächen weitgehend. Infineon passt die Räume und ihre technische Ausstattung umfassend an. Vorhandene Versorgungsnetze bleiben dabei eine wichtige Grundlage der Fertigung weiterhin. Dadurch wird der Ausbau kostengünstiger und organisatorisch einfacher umsetzbar insgesamt. Neue Anlagen können in abgestimmten Schritten integriert werden bei Bedarf. Die jeweilige Nachfrage bestimmt Umfang und Tempo der Erweiterung maßgeblich. Das Vorgehen sichert eine effiziente Nutzung bereits vorhandener Ressourcen dauerhaft.
Wachsende Zukunftsmärkte benötigen leistungsfähige und energieeffiziente GaN-Halbleiter zunehmend weltweit
Galliumnitrid-Komponenten unterstützen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten übertragen. Diese Eigenschaften vereinfachen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung erschließt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Villach bereitet Produktionsbeginn für GaN-Leistungshalbleiter Ende 2027 planmäßig vor
Der Standort Villach soll Ende 2027 mit der Herstellung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern beginnen. Infineon plant hierfür ein Investitionsvolumen von rund 1,1 Milliarden Euro bis 2034. Der Umfang des Kapazitätsaufbaus bleibt an die Marktnachfrage gekoppelt. Statt sämtliche Fertigungsreserven sofort bereitzustellen, kann das Unternehmen den Ausbau nach Bedarf fortsetzen. Dieses Vorgehen schafft Flexibilität bei der Produktionssteuerung und hilft, Investitionen, Lieferfähigkeit sowie Auslastung der Anlagen mit dem tatsächlichen Absatz in Einklang zu bringen.
Chips-Act-Förderung erhöht europäische Kapazität für moderne Leistungshalbleiter deutlich künftig
Die Förderung aus dem Europäischen Chips Act beträgt 319 Millionen Euro und begleitet den Aufbau der neuen Hochvolumenfertigung. Mit ihr wird die europäische Produktionslandschaft für moderne Leistungshalbleiter erweitert. Das Vorhaben dient dem strategischen Ziel, wichtige elektronische Komponenten stärker innerhalb Europas herzustellen. Dadurch können Unternehmen von einer zusätzlichen regionalen Bezugsquelle profitieren. Die Maßnahme stärkt zugleich Fertigungskompetenz, Investitionssicherheit und die Belastbarkeit industrieller Lieferketten. Sie schafft eine Grundlage für langfristige technologische Eigenständigkeit Europas.
Mit dem Vorhaben erweitert Infineon Europas Fertigungsbasis für GaN-Halbleiter deutlich. Der Ausbau nutzt bestehende Reinräume und minimiert zusätzlichen Flächenverbrauch wirkungsvoll. Moderne Waferformate ermöglichen dabei hohe Produktionsmengen bei wirtschaftlicher Fertigung langfristig. Die Anlage bedient künftige Anforderungen von Energieversorgung und Digitalwirtschaft gezielt. Sie liefert Komponenten für effizientere Server Fahrzeuge und Industrieanlagen weltweit. Eine nachfrageabhängige Planung ermöglicht kontrollierte Schritte beim Kapazitätsaufbau jederzeit wirtschaftlich. Der Chips Act vermindert zudem Europas Abhängigkeit von externen Anbietern.
